Презентация. Биполярные транзисторы

Скачать презентацию




Лекция 7 Биполярные транзисторы 3.10 Эквивалентные схемы замещения транзисторов Различают: - физическую Т-образную эквивалентную схему, формальную модель в h-параметрах, в Z-параметрах, в R-параметрах. 181
 


Эквивалентные схемы замещения транзисторов Эквивалентные схемы необходимы для проведения анализа и синтеза электро- и радиотехнических схем Рассматриваемые далее эквивалентные схемы можно использовать при условии, что транзистор работает в линейном режиме, изменения токов и напряжений малы по амплитуде, нелинейные ВАХ можно заменить линейными, параметры транзистора в общем случае являются дифференциальными. 182
 


Эквивалентная схема для включения транзистора по схеме общий эмиттер. физическая Т-образная эквивалентная схема Uкэ - К Б Э Iб Iк Iэ + Uбэ - + ? Установим в центре базы теоретическую точку. Между точкой и выводом базы имеется распределенное объемное сопротивление базы. Обозначим его через rб. 183
 


Эквивалентная схема для включения транзистора по схеме общий эмиттер. Uкэ - К Б Э Iб Iк Iэ + Uбэ - + ? Между точкой и выводом эмиттера имеется p-n-переход, характеризующийся дифференциальным сопротивлением rэ. Между точкой и выводом коллектора имеется p-n-переход, характеризующийся дифференциальным сопротивлением rк. 184
 


физическая Т-образная эквивалентная схема Iэ = Iк + Iб Iк = В
·Iб + Ток коллектора протекает также по сопротивлению учтем этот ток. rк Uкэ * + В
·Iб rб rэ Iэ Iк Iб Uкэ Uбэ К Б Э 185
 


Эквивалентная схема составлена для постоянного тока. Схему можно распространить и для переменного тока, приняв допущения: амплитуда переменной составляющей тока и напряжения много меньше величины постоянной составляющей, нелинейные ВАХ считаем линейными. ?Iк << Iк , ?Uк << Uк
 


- барьерная емкость коллекторного перехода при включении транзистора по схеме ОЭ. - дифференциальное сопротивление коллекторного перехода при включении транзистора по схеме ОЭ. Iб Uбэ Uкэ > 0 Iб2 Iб1 ?Iб=(Iб2-Iб1) ?Uбэ=(Uбэ2-Uбэ1) Uбэ2
 


- дифференциальное сопротивление перехода Э-Б, включенного в прямом направлении. rэ т – температурный потенциал p-n-перехода. При температуре 20 С = 0,025В или 25мВ. т Если задан ток эмиттера Iэ = 1 мА, то rэ = 25 Ом. 188
 


Наличие в схеме реактивного элемента в виде емкости говорит о том, что в общем виде схема является частотнозависимой. и являются генераторами тока, обеспечивая ток коллектора. Ток В
·Iб >> , поэтому во многих случаях обратный ток можно не учитывать. Iкэ о 189
 


Параметры эквивалентной схемы: - rэ, rб Таким образом, получена обычная электротехническая цепь, состоящая из пассивных и активных элементов. К ней применимы все законы электротехники, позволяющие проводить анализ и синтез цепей. 190
 


Генератор тока В
·Iб можно заменить генератором напряжения на основании теоремы об эквивалентном генераторе. Тогда схема станет чисто напряженческой. Недостаток модели состоит в том, что r-параметры можно получить только теоретически, расчетным путем. 191
 


Схема включения транзистора ОБ физическая Т-образная эквивалентная схема Iк = ?
·Iэ + rк Uкб + Ток эмиттера является управляющим, ток коллектора – управляемым. ?
·Iэ rк rб rэ Iэ Iк Iб Uкб Uэб К Б Э 192
 


Биполярные транзисторы Эквивалентные схемы замещения транзисторов 3.11 Транзистор как линейный четырехполюсник Формальная модель Недостаток физической схемы состоит в том, что r-параметры можно получить только теоретически, расчетным путем. Модель применима при условии - транзистор работает в линейном режиме, - изменения токов и напряжений малы по амплитуде, - нелинейные ВАХ можно заменить линейными. 194
 

< <       > >